金刚石基氮化铝

产品概述

金刚石基氮化铝（AlN-on-Diamond）是全球首创的高性能复合衬底产品。通过在CVD金刚石基底上外延生长高质量氮化铝（AlN）薄膜，将金刚石的超高热导率（室温下可达2000 W/(m·K)）与氮化铝优异的压电性、宽带隙特性完美结合。该产品XRD（0002）摇摆曲线半峰宽＜3°，生长面表面粗糙度Ra＜2nm（氮化铝厚度200nm），为高品质GaN外延生长和高端电子器件制造提供了革命性衬底方案。

氮化铝（AlN）是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，禁带宽度高达6.2eV，同时具有高击穿场强、高饱和电子迁移率、高化学和热稳定性，及高导热、抗辐射等优异性能。将氮化铝与金刚石衬底结合后，在保留所有AlN优异特性的同时，散热能力提升10倍以上，为高功率密度器件提供了前所未有的热管理能力。

氮化铝（AlN）的材料优势

氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，具有以下突出的物理和电学性能：

• 超宽禁带 —— 直接带隙，禁带宽度6.2eV，是重要的深紫外和紫外发光材料
• 高击穿场强 —— 高击穿电场强度、高热导率、高绝缘性、低介电常数、低热膨胀系数，常用于高温高频高功率器件
• 优异压电性能 —— 特别是沿C轴方向，是目前制备各种传感器、驱动器以及滤波器的最佳材料之一
• 与GaN晶格匹配 —— 与GaN晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数，是异质外延生长GaN基光电器件的优选衬底材料
• 高化学稳定性 —— 原子间以共价键相结合，化学稳定性好、熔点高
• 高机械强度 —— 机械强度高、电绝缘性能佳，是一种压电和介电材料
• 晶体薄膜硬度高 —— 可作为耐磨涂层
• CMOS兼容 —— 制备工艺与CMOS兼容，可以和其他器件集成到同一芯片上
• 最优声波传播 —— 具备非铁电材料中最好的声波传播速度，且拥有无与伦比的压电响应，可用于制作高性能声表器件
• 宽禁带发光 —— 具有直接带隙，是重要的蓝光和紫外发光材料
• 超高传声速度 —— 沿c轴取向具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能，传声速度快，是所有无机非铁性压电材料中最高的

技术参数

氮化铝衬底方案对比

* 金刚石基氮化铝在热导率方面远超其他衬底方案（是蓝宝石的约50倍），特别适合对散热要求极高的高功率密度电子器件。

应用场景

定制与加工能力

提供从金刚石基底到AlN外延的一体化定制服务，满足不同器件的衬底需求。